壓控振蕩器的概念
電壓控制石英晶體振蕩器Voltage Controlled Crystal Oscillators，簡稱VCXO，是通過施加外部控制電壓使振蕩頻率可變的石英晶體振蕩器。在典型的VCXO應用中，是通過調諧外部控制電壓改變變容二極管的電容量來“牽引”石英晶體的頻率，VCXO頻率控制范圍比較寬，通常VCXO的牽引范圍約為≥±100ppm。
相關電氣參數(shù)：
1.標稱頻率
Nominal Frequency
振蕩器最重要的參數(shù)之一。頻率表示的是單位時間內振蕩的次數(shù)，通常單位用MHz表示。
2.工作電壓
Operating Voltage
時鐘振蕩器能夠正常工作的電壓范圍。在這個范圍內，晶振能夠提供穩(wěn)定的振蕩信號。超出這個范圍，振蕩器的頻率穩(wěn)定度會受到電源電壓變動和負載變動的影響，甚至可能無法正常工作，通常以[V]為單位。
3.封裝
Holder Type
振蕩器的尺寸大小。
提供SMD3225/5032/7050等片式SMD封裝。
4.總頻率偏差
Frequency Stability
頻率穩(wěn)定性包括常溫頻差、溫度頻差與電壓變化的頻率偏差、第一年老化的頻率變化量的總和(Vc=1.65V±0.1V)。
這一特性是衡量晶振在溫度變化時頻率變化程度的指標。較低的頻率溫度穩(wěn)定度意味著晶振在不同溫度條件下更為穩(wěn)定，對于一些對頻率精確性要求較高的應用，如通信、導航、精密測量等，這是一個重要的性能指標,通常以[ppm]為單位。
5.消耗電流
Current Consumption
振蕩器在指定工作電壓下穩(wěn)定工作時消耗的電流。對功耗有嚴格要求的應用中，電流消耗是一個關鍵參數(shù)。通常以[ mA]為單位。
6.輸出波形
Output
振蕩器在電路中的輸出波形。常見的輸出波形模式有方波CMOS、差分信號輸出LVPECL、LVDS、HCSL、CML等。
7.輸出負載
Output Load Condition
振蕩器帶負載的能力。通常以[pF]為單位。
8.工作溫度范圍
Operating temperature Range
振蕩器能正常工作的溫度范圍。通常在-40℃~+85℃，-40℃~+105℃，-40℃~+125℃。
9.存儲溫度范圍
Storage Temperature Range
時鐘振蕩器在未使用的情況下，存儲的溫度范圍。通常在-55℃~+125℃。
10.占空比
Duty Cycle
在一個頻率周期內高低電平所占的比例。單位用[%]表示。
11.上升/下降時間
RISE/Fall Time
時鐘振蕩器輸出電平10% / 90%VDD所需要的時間，單位用[nS]表示。
12牽引范圍
Pulling Range
通過施加外部控制電壓(1.65±1.35V)使振蕩頻率可變的頻率偏差范圍，單位用[ppm]表示。
13.絕對牽引范圍APR
Absolute Pulling Range
頻率牽引范圍-頻率穩(wěn)定度-老化率(PR–Fstability-Faging)，單位用[ppm]表示。
14.壓控中心電壓
Center Voltage
控制的中心電壓1.65V，通常為工作電壓的一半。
15.控制電壓范圍
Control Voltage Range
控制電壓的范圍1.65±1.35V。
16.線性度
Linearity
10% max,可調頻率偏差和總偏差之間的比率,單位用[%]表示。
17.調制帶寬
Modulation Band Width
15KHz min.
18.壓控端輸入電阻
VC Input Impedance
5MΩ min.
19.年老化率
Aging
在所有其它條件都恒定不變的情況下，振蕩器的頻率仍會隨著時間推移而發(fā)生的漂移，這種長期漂移是由晶體元件和振蕩電路的其它元器件緩慢變化造成的，即晶振隨時間變化而引起的頻率變化量。可用日老化(ppb/天)和年老化(ppm/年)表示。
